6.5 浓度结

当导电类型相同但掺杂浓度不同的两种晶体硅相接触时，同样可形成具有电偶层和自建电场的浓度结（也称高低结或梯度结），如图6-12所示。

对于p型硅，热平衡时pp⁺浓度结界面处的接触势垒高度qV_bi2为

类似于式（6-13），再考虑在热平衡下，多子浓度基本上等于掺杂浓度，p_p0≈N_A，，即可导出：

式中，为p⁺型区的杂质浓度，N_A为p型区的杂质浓度。

如果在n⁺p结上再形成pp⁺结，那么n⁺pp⁺结的总内建电势V_bi应为式（6-13）与式（6-113）之和，即

式中，V_bi1为通常pn结的内建电势。

晶体硅太阳电池往往在靠近背面电极的地方设置高掺杂区，与基区形成浓度结，成为背面场，它不仅可以提高背面电极附近的收集效率，从而增加短路电流，还可以减小饱和电流，从而提高开路电压。