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序言
再版前言
第1章 半导体器件
1.1 N型半导体和P型半导体
1.2 PN结二极管
1.3 双极型晶体管
1.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.5 CMOS器件面临的挑战
1.6 结型场效应晶体管
1.7 肖特基势垒栅场效应晶体管
1.8 高电子迁移率晶体管
1.9 无结场效应晶体管
1.10 量子阱场效应晶体管
1.11 小结
参考文献
第2章 集成电路制造工艺发展趋势
2.1 引言
2.2 横向微缩所推动的工艺发展趋势
2.3 纵向微缩所推动的工艺发展趋势
2.4 弥补几何微缩的等效扩充
2.5 展望
参考文献
第3章 CMOS逻辑电路及存储器制造流程
3.1 逻辑技术及工艺流程
3.2 存储器技术和制造工艺
3.3 无结场效应晶体管器件结构与工艺
参考文献
第4章 电介质薄膜沉积工艺
4.1 前言
4.2 氧化膜/氮化膜工艺
4.3 栅极电介质薄膜
4.4 半导体绝缘介质的填充
4.5 超低介电常数薄膜
参考文献
第5章 应力工程
5.1 简介
5.2 源漏区嵌入技术
5.3 应力记忆技术
5.4 双极应力刻蚀阻挡层
5.5 应力效应提升技术
参考文献
第6章 金属薄膜沉积工艺及金属化
6.1 金属栅
6.2 自对准硅化物
6.3 接触窗薄膜工艺
6.4 金属互连
6.5 小结
参考文献
第7章 光刻技术
7.1 光刻技术简介
7.2 光刻的系统参数
7.3 光刻工艺流程
7.4 光刻工艺窗口以及图形完整性评价方法
7.5 相干和部分相干成像
7.6 光刻设备和材料
7.7 与分辨率相关工艺窗口增强方法
参考文献
第8章 干法刻蚀
8.1 引言
8.2 干法刻蚀建模
8.3 先进的干法刻蚀反应器
8.4 干法刻蚀应用
8.5 先进的刻蚀工艺控制
参考文献
第9章 集成电路制造中的污染和清洗技术
9.1 IC制造过程中的污染源
9.2 IC污染对器件的影响
9.3 晶片的湿法处理概述
9.4 晶片表面颗粒去除方法
9.5 制程沉积膜前/后清洗
9.6 制程光阻清洗
9.7 晶片湿法刻蚀技术
9.8 晶背/边缘清洗和膜层去除
9.9 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用
9.10 湿法清洗机台及其冲洗和干燥技术
9.11 污染清洗中的测量与表征
参考文献
第10章 超浅结技术
10.1 简介
10.2 离子注入
10.3 快速热处理工艺
参考文献
第11章 化学机械平坦化
11.1 引言
11.2 浅槽隔离抛光
11.3 铜抛光
11.4 高k金属栅抛光的挑战
11.5 GST抛光（GST CMP）
11.6 小结
参考文献
第12章 器件参数和工艺相关性
12.1 MOS电性参数
12.2 栅极氧化层制程对MOS电性参数的影响
12.3 栅极制程对MOS电性参数的影响
12.4 超浅结对MOS电性参数的影响
12.5 金属硅化物对MOS电性参数的影响
12.6 多重连导线
第13章 可制造性设计
13.1 介绍
13.2 DFM技术和工作流程
13.3 CMP DFM
13.4 DFM展望
参考文献
第14章 半导体器件失效分析
14.1 失效分析概论
14.2 失效分析技术
14.3 案例分析
参考文献
第15章 集成电路可靠性介绍
15.1 热载流子效应（HCI）
15.2 负偏压温度不稳定性（NBTI）
15.3 经时介电层击穿（TDDB）
15.4 电压斜坡（V-ramp）和电流斜坡（J-ramp）测量技术
15.5 氧化层击穿寿命预测
15.6 电迁移
15.7 应力迁移
15.8 集成电路可靠性面临的挑战
15.9 小结
第16章 集成电路测量
16.1 测量系统分析
16.2 原子力显微镜
16.3 扫描电子显微镜
16.4 椭圆偏振光谱仪
16.5 统计过程控制
参考文献
第17章 良率改善
17.1 良率改善介绍
17.2 用于良率提高的分析方法
第18章 测试工程
18.1 测试硬件和程序
18.2 储存器测试
18.3 IDDQ测试
18.4 数字逻辑测试
18.5 可测性设计
参考文献
第19章 芯片封装
19.1 传统的芯片封装制造工艺
19.2 大电流的功率器件需用铝线键合工艺取代金线键合工艺
19.3 QFN的封装与传统封装的不同点
19.4 铜线键合工艺取代金线工艺
19.5 立体封装（3D Package）形式简介
参考文献
本书部分作者简介
后记
更新时间：2020-11-29 00:29:09
完结共146章
倒序